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G3VM-61UR/81UR/101UR

OMRON G3VM-61UR/81UR/101UR 2.45*1.45*1.3 全球最小级别,低C×R

G3VM-41UR10/51UR

OMRON G3VM-41UR10/51UR 2.45*1.45*1.3 全球最小级别,低C×R

G3VM-21UR11

OMRON G3VM-21UR11 2.45*1.45*1.3 全球最小级别,低C×R

G3VM-101PR

OMRON G3VM-101PR 2.85*2.2*1.65 实现高负载电压100V的MOS FET继电器

G3VM-81PR

OMRON G3VM-81PR 2.85*2.2*1.65 注重低输出端子间电容特性 5pF(标准)

G3VM-71PR

OMRON G3VM-71PR 2.85*2.2*1.65 ? 注重低导通电阻特性 1Ω(标准)

G3VM-41PR5

OMRON G3VM-41PR5 2.85*2.2*1.65 业界最小级别的USOP封装 实现低C×R=10pF·Ω的MOS FET继电器

G3VM-202J1

OMRON G3VM-202J1 94.*4.4*2.1 薄型、小尺寸、扁平型、SOP8脚

G8HL-P

OMRON G8HL-P 22.5*15*17.7 低矮型设计 (最大高度18.2mm) 相比以往的 微型ISO继电器

G8NDL

OMRON G8NDL 14.5*14*12 G8NDL作为G8ND系列的 后继产品,专为各种正转/ 反转电机控制应用而设计
 
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